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NTGS3443T1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:4.4A
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- 描述
- 功率 MOSFET，-20V，-4.4A，65mΩ，单 P 沟道，TSOP-6
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTGS3443T1G
- 商品编号
- C150083
- 商品封装
- TSOP-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.046克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 2W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 565pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 超低导通电阻(RDS(on))
- 更高效率,延长电池寿命
- 微型TSOP - 6表面贴装封装
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
- NVGS前缀适用于汽车及其他有特定产地和控制变更要求的应用;符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
应用领域
- 便携式和电池供电产品的电源管理,如:蜂窝电话、无绳电话和PCMCIA卡