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CPH3462-TL-W
1个N沟道 耐压:100V 电流:1A
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- 描述
- N 沟道,100V,1A,785mΩ@1V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CPH3462-TL-W
- 商品编号
- C146786
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 930mΩ@4V,0.5A | |
| 耗散功率(Pd) | 1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@1mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 155pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.8pF | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 11.9pF |
商品概述
这款N沟道增强型功率MOSFET采用仙童半导体公司专有的平面条形和DMOS技术制造。这种先进的MOSFET技术经过专门设计，可降低导通电阻，并提供卓越的开关性能和高雪崩能量强度。这些器件适用于开关模式电源、音频放大器、直流电机控制和可变开关电源应用。
商品特性
- 140 A、100 V，栅源电压（VGS） = 10 V、漏极电流（ID） = 70 A时，漏源导通电阻（RDS(on)） = 10 mΩ（最大值）
- 低栅极电荷（典型值220 nC）
- 低反向传输电容（Crss）（典型值470 pF）
- 100%经过雪崩测试
- 最高结温额定值为175°C
应用领域
-开关模式电源-音频放大器-直流电机控制-可变开关电源应用