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NVR1P02T1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1A
- 描述
- 汽车功率 MOSFET。 -20V，-1A，180mΩ，单 P 沟道，SOT-23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVR1P02T1G
- 商品编号
- C146753
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 165pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 当VGS = -10 V时，RDS(导通) = 0.180 Ω
- 当VGS = -4.5 V时，RDS(导通) = 0.280 Ω
- 超低导通电阻，可提高效率并延长电池使用寿命
- 微型SOT - 23表面贴装封装，节省电路板空间
- NVR前缀适用于汽车及其他有独特产地和控制变更要求的应用；符合AEC - Q101标准且具备生产件批准程序(PPAP)能力
- 这些器件为无铅产品，符合RoHS标准
应用领域
- DC - DC转换器
- 计算机
- 打印机
- PCMCIA卡
- 移动电话和无绳电话