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NVR1P02T1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1A
- 描述
- 汽车功率 MOSFET。 -20V，-1A，180mΩ，单 P 沟道，SOT-23 通过 AEC-Q101 认证的 MOSFET，符合生产件批准程序 (PPAP)，适用于汽车应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NVR1P02T1G
- 商品编号
- C146753
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 280mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 165pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 12000 个)个
起订量：12000 个3000个/圆盘
总价金额：
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