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MUN5216DW1T1G
MUN5216DW1T1G
- 描述
- 该系列数字晶体管用于替代单个器件及其外部电阻偏置网络。该偏置电阻晶体管 (BRT) 包含一个晶体管和一个由两个电阻组成的单片偏置网络：一个串联基极电阻和一个基极发射电阻。该 BRT 将这些独立组件集成到了单个器件中，因此不再需要这些单独组件。采用 BRT 既可以降低系统成本，又可以节省板空间。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- MUN5216DW1T1G
- 商品编号
- C146778
- 商品封装
- SOT-363
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 数字晶体管 | |
| 数量 | - | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 集电极电流(Ic) | 100mA | |
| 耗散功率(Pd) | 250mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 直流电流增益(hFE) | 350@5.0mA,10V | |
| 最小输入电压(VI(on)) | 900mV@10mA,0.2V | |
| 最大输入电压(VI(off)) | 600mV@100uA,5.0V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
交货周期
订货65-67个工作日购买数量
(3000个/圆盘，最小起订量 45000 个)个
起订量：45000 个3000个/圆盘
总价金额：
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