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NTA7002NT1G
1个N沟道 耐压:30V 电流:154mA
- 描述
- 小信号 MOSFET 30 V，154 mA，单，N 沟道，门极 ESD 保护，SC-75
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTA7002NT1G
- 商品编号
- C145524
- 商品封装
- SC-75(SOT-416)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 154mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.5Ω@2.5V,154mA | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V@100uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 20pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 15pF |
商品特性
- 低栅极电荷，实现快速开关
- 小尺寸封装，占位面积仅 1.6 x 1.6 mm
- 栅极具备 ESD 保护
- NV 前缀适用于汽车及其他有特殊产地和变更控制要求的应用；符合 AEC-Q101 标准且可提供生产件批准程序（PPAP）文件
- 这些器件为无铅产品，符合 RoHS 标准
应用领域
- 电源管理负载开关
- 电平转换
- 便携式应用，如手机、媒体播放器、数码相机、个人数字助理（PDA）、视频游戏、手持电脑等