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NTR4171PT1G
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.5A
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- 描述
- 30 V，3.5 A，75 mΩ，单 P 沟道，功率 MOSFET，SOT-23
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR4171PT1G
- 商品编号
- C146715
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 7.4nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 720pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 65pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 95pF |
商品特性
- 低栅极电压下具有低导通电阻(RDS(on))
- 低阈值电压
- 高功率和电流处理能力
- 这是一款无铅器件
应用领域
- 负载开关
- 专为便携式设备(如手机、个人数字助理(PDA)、媒体播放器等)的电池和负载管理应用优化