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NTR1P02LT1G
1个P沟道 耐压:20V 电流:1.3A
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- 描述
- 此类小型表面贴装 MOSFET 的 RDS(on) 可确保最小的功率损耗和节能，使得此类器件适用于空间敏感型电源管理电路。这些 P 沟道小信号 MOSFET 的典型应用为 DC-DC 转换器以及便携式和电池供电产品中的电源管理，如计算机、打印机、PCMCIA 卡、手机和无绳电话。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTR1P02LT1G
- 商品编号
- C146716
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 1.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 220mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.25V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 3.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 225pF@5V | |
| 反向传输电容(Crss) | 55pF@5V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 1.2V驱动
- 低导通电阻：当栅源电压（VGS）为-1.2V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为94毫欧
- 当栅源电压（VGS）为-1.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为39毫欧
- 当栅源电压（VGS）为-1.8V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为29毫欧
- 当栅源电压（VGS）为-2.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为21毫欧
- 当栅源电压（VGS）为-4.5V时，漏源导通电阻（RDS(ON)）最大值为17毫欧
应用领域
电源管理开关应用