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CAT24C256YI-GT3
256kb I2C CMOS EEPROM，支持标准、快速和快速加I2C协议
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- 描述
- CAT24C256是一款256kb的串行CMOS EEPROM，内部组织为32,768个8位字。支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速加（1MHz）I2C协议。具有硬件写保护、低功耗CMOS技术、工业和扩展温度范围。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- CAT24C256YI-GT3
- 商品编号
- C146734
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.185克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | I2C | |
| 存储容量 | 256Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 1MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 100年 | |
| 写周期寿命 | 100万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置错误纠正码(ECC)功能 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 3mA | |
| 待机电流 | 2uA | |
| 读取访问时间(tA) | 0.4us；3.5us；0.9us |
商品概述
CAT24C256是一款256kb串行CMOSEEPROM，内部组织为32,768个8位字。具备64字节页写入缓冲区，支持标准（100kHz）、快速（400kHz）和快速增强（1MHz）I²C协议。通过将WP引脚置高可禁止写操作，保护整个存储器。外部地址引脚可在同一总线上寻址多达八个CAT24C256器件。片上ECC（纠错码）使该器件适用于高可靠性应用。该器件支持I²C总线数据传输协议，作为从设备，数据流由主设备控制。上电复位电路可保护内部逻辑，防止在错误状态下上电。当VCC超过POR触发电平时进入待机模式，当VCC低于POR触发电平时进入复位模式。该双向POR行为可保护器件在临时断电后免受欠压故障影响。
商品特性
- 支持标准、快速和快速增强I²C协议
- 电源电压范围1.8V至5.5V
- 64字节页写入缓冲区
- 整个存储器的硬件写保护
- I²C总线输入（SCL和SDA）上的施密特触发器和噪声抑制滤波器
- 低功耗CMOS工艺
- 1,000,000次编程/擦除循环
- 100年数据保持
- 工业级和扩展温度范围
- PDIP、SOIC、TSSOP、MSOP8引脚和TDFN、UDFN8焊盘封装
- 无铅、无卤/无溴化阻燃剂，符合RoHS
- 工作温度范围：-40℃至+125℃（VCC=2.5V至5.5V）和-40℃至+85℃（VCC=1.8V至5.5V）
- 引脚功能：SCL串行时钟输入；SDA串行数据输入/输出；A0、A1、A2地址输入；WP写保护输入
- 支持字节写、页写、立即地址读、选择性读、顺序读
- 支持应答轮询判断器件忙状态
- 内置上电复位电路，防止错误状态下上电
应用领域
- 高可靠性应用