NCP330MUTBG

NCP330是一种低导通电阻N沟道MOSFET，由2毫秒的软启动序列控制，适用于移动应用。非常低的RDS(on)允许系统供电或电池充电达到直流3A。如果在Vin引脚上连接了电源（高电平有效），则该设备会自动使能；如果没有Vin（内部下拉），则保持关闭状态。由于优化了电流消耗，从连接到设备的电池中泄漏的电流显著减少，从而延长了电池寿命。

• 1.8 V 至 5.5 V 工作范围
• 30 m N−MOSFET
• 直流电流高达 3 A
• 峰值电流高达 5 A
• 内置软启动 2 ms
• 反向电压保护
• 高电平有效，带集成桥
• 符合 IEC61000−4−2（4级）8.0 kV（接触放电）15 kV（空气放电）
• ESD 等级：机器模型 μ=B 人体模型 =3
• u D F N41.2x1.6 mm
• 汽车及其他需要独特场地和控制变更要求的应用采用 NCV 前缀；符合 AEC−Q100 标准并具备 PPAP 能力
• 本设备为无铅设备

• 手机
• 平板电脑
• 数码相机
• GPS
• 计算机