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NTF5P03T3G
1个P沟道 耐压:30V 电流:5.2A
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- 描述
- P 沟道,-30V,-5.2A,100mΩ@-30V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTF5P03T3G
- 商品编号
- C145552
- 商品封装
- SOT-223
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.202克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 150mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.56W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 38nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | - |
商品特性
- 超低导通电阻(RDS(on)),更高效率,延长电池寿命
- 逻辑电平栅极驱动
- 微型SOT - 223表面贴装封装
- 规定雪崩能量
- 通过AEC - Q101认证,可提供生产件批准程序(PPAP)文件 - NVF5P03T3G
- 这些器件无铅且符合RoHS标准
应用领域
-直流-直流转换器-电源管理-电机控制-感性负载-替代MMFT5P03HD