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NLVASB3157DFT2G

单刀双掷 (SPDT), 3 Ω 导通电阻开关

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描述: NLVASB3157 是一种先进的 CMOS 模拟开关，采用硅栅 CMOS 技术制造。它实现了非常低的传播延迟和导通电阻，同时保持了 CMOS 的低功耗特性。该设备是 NC7SB3157 的替代品。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: NLVASB3157DFT2G
商品编号: C145550
商品封装: SOT-363
包装方式: 编带
商品毛重: 0.027克(g)

商品参数

商品概述

NLASB3157是一款采用硅栅CMOS技术制造的先进CMOS模拟开关。它在实现极低的传播延迟和导通电阻（RDSON）的同时，保持了CMOS低功耗特性。模拟和数字电压可在整个电源电压范围（从VCC到GND）内变化。该器件可直接替代NC7SB3157。选择引脚具备过压保护功能，无论工作电压如何，引脚可承受高达7.0 V的电压（高于VCC），而不会损坏器件或影响其正常工作。

商品特性

高速：在VCC = 5.0 V时，传输延迟tpp = 1.0 ns（典型值）
低功耗：在TA = 25℃时，静态电流ICC = 2.0 μA（最大值）
标准CMOS逻辑电平
高带宽，改善线性度
可切换标准NTSC/PAL视频、音频、SPDIF和高清电视信号
可用于时钟切换、数据复用等
在VCC = 4.5 V时，导通电阻RON典型值为3 Ω
先断后通电路，防止意外短路
两个器件可切换平衡信号对，例如速率大于200 Mbps的LVDS信号
抗闩锁性能超过300 mA
引脚与NC7SB3157完全兼容
采用微型SC88和WDFN6封装
ESD性能：人体模型大于2000 V；机器模型大于200 V
NLVASB3157具备扩展的汽车级温度范围 -55℃至+125℃
提供无铅封装

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	属性	参数值
	商品目录	模拟开关/多路复用器
	开关电路	2:1
	通道数	-
	工作电压	1.65V~5.5V
	导通时间(ton)	-
	导通电阻(Ron)	3Ω

	属性	参数值
	关闭时间(toff)	-
	工作温度	-55℃~+125℃
	导通电容(Con)	18.5pF
	带宽	250MHz
	传播延迟(tpd)	300ps