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NTD5867NLT4G
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
- 描述
- N 沟道,60V,20A,39mΩ@20V
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTD5867NLT4G
- 商品编号
- C146705
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.438克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 50mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 36W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 15nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 675pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 47pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 68pF |
商品特性
- 低 RDS(on)
- 高电流承载能力
- 100% 雪崩测试
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂,符合 RoHS 标准
应用领域
-初级侧开关-N 沟道 MOSFET