TPS51916RUKR

TPS51916器件以最低的总成本和最小的空间为DDR2、DDR3、DDR3L和DDR4内存系统提供完整的电源。它集成了一个同步降压调节器控制器（VDDQ）、一个具有2A灌电流和2A拉电流能力的跟踪LDO（VTT）以及一个缓冲低噪声基准源（VTTREF）。 该器件采用D - CAP™模式，搭配300 kHz或400 kHz频率，便于使用且具有快速瞬态响应；或采用D - CAP2™模式，搭配更高的500 kHz或670 kHz频率，可支持陶瓷输出电容，无需外部补偿电路。VTTREF能以出色的0.8%精度跟踪VDDQ/2。VTT提供2A灌电流和2A拉电流峰值能力，仅需10μF的陶瓷电容。还设有专用的LDO电源输入。 该器件还具备出色的电源性能。它支持灵活的电源状态控制，在S3状态下将VTT置于高阻态，在S4或S5状态下对VDDQ、VTT和VTTREF进行放电（软关断）。此外，还具备可编程OCL（通过低端MOSFET RDS(on)检测）、过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）、欠压锁定（UVLO）和热关断保护功能。

• 同步降压控制器（VDDQ）
• 转换电压范围：3 V至28 V
• 输出电压范围：0.7 V至1.8 V
• 0.8%的VREF精度
• 可选控制架构
• 用于快速瞬态响应的D - CAP™模式
• 用于陶瓷输出电容的D - CAP2™模式
• 可选的300 kHz、400 kHz、500 kHz或670 kHz开关频率
• 具有自动跳过功能，在轻载和重载下实现优化效率
• 支持S4和S5状态下的软关断
• OCL/OVP/UVP/UVLO保护
• 电源正常输出
• 2A LDO（VTT）、缓冲基准源（VTTREF）
• 2A（峰值）灌电流和拉电流
• 缓冲、低噪声、10 mA的VTTREF输出
• 0.8%的VTTREF精度、20 mV的VTT精度
• 支持高阻态（S3）和软关断（S4、S5）
• 热关断
• 20引脚、3 mmx3 mm、QFN封装
• 创建WEBENCH设计

• 内存电源：DDR2、DDR3、DDR3L、DDR4
• 端接：SSTL_18、SSTL_15、SSTL_135、HSTL