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CSD16321Q5
1个N沟道 耐压:25V 电流:177A
- 描述
- CSD16321Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、2.6mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16321Q5
- 商品编号
- C129342
- 商品封装
- PDFN-8(5.2x6.2)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.436克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 177A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.8mΩ@3V | |
| 耗散功率(Pd) | 113W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 2.2nF |
商品概述
这款 25V、1.9mΩ、5mm × 6mm SON 功率 MOSFET 旨在更大限度减小功率转换应用中的损耗，并针对 5V 栅极驱动应用进行了优化。 特性：
商品特性
- 针对 5V 栅极驱动器进行了优化
- 超低 Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS 标准
- 5mm × 6mm SON 塑料封装
应用领域
- 用于网络互联, 电信和计算系统的负载点同步降压转换器
- 已针对同步场效应晶体管 (FET) 应用进行优化