CSD87334Q3DT
2个N沟道 耐压:30V
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描述
CSD87334Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称TI(德州仪器)
商品型号
CSD87334Q3DT商品编号
C131994商品封装
LSON-8(3.3x3.3)包装方式
编带
商品毛重
0.101克(g)
商品参数
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
类型 | 2个N沟道 | |
漏源电压(Vdss) | 30V | |
连续漏极电流(Id) | - |
属性 | 参数值 | |
---|---|---|
导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 6mΩ@8V,12A | |
功率(Pd) | 6W | |
阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.2V@250uA | |
配置 | 半桥 |
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