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CSD87334Q3DT
2个N沟道 耐压:30V
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- 描述
- CSD87334Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87334Q3DT
- 商品编号
- C131994
- 商品封装
- LSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.3mΩ@3.5V,12A | |
| 耗散功率(Pd) | 48W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 8.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.26nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 21pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 589pF |
商品概述
CSD87334Q3D NexFET电源块是面向同步降压和升压应用的优化设计方案，能够以3.3mm × 3.3mm的小巧外形提供高电流、高效率以及高频率性能。该产品针对5V栅极驱动应用进行了优化，在与外部控制器或驱动器配合使用时，可在高占空比应用中提供灵活的解决方案
商品特性
- 半桥电源块
- 针对高占空比进行了优化
- 输入电压高达24V
- 12A电流时系统效率达96.1%
- 12A电流时，PLoss为1.6W
- 工作电流高达20A
- 高频工作（高达1.5MHz）
- 高密度3.3mm × 3.3mm小外形尺寸无引线(SON)封装
- 针对5V栅极驱动进行了优化
- 开关损耗较低
- 超低电感封装
- 符合RoHS环保标准
- 无卤素
- 无铅引脚镀层
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 高占空比应用
- 同步升压转换器
- 负载点(POL)直流 - 直流转换器