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CSD25481F4T
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.5A
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- 描述
- CSD25481F4 采用 0.6mm x 1mm LGA 封装、具有栅极 ESD 保护的单通道、105mΩ、-20V、P 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD25481F4T
- 商品编号
- C134107
- 商品封装
- PicoStar-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.027克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 105mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 500mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 913pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 189pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 78pF |
商品概述
该 90 mΩ、20V P 沟道 FemtoFET MOSFET 经过设计和优化,能够最大限度地减小在许多手持式和移动应用中占用的空间。这项技术能够在替代标准小信号 MOSFET 的同时将封装尺寸减小至少 60%。
商品特性
- 超低导通电阻
- 超低 Qg 和 Qgd
- 高漏极工作电流
- 超小封装尺寸 (0402 外壳尺寸)
- 超薄型封装,最大厚度为 0.36 mm
- 集成型 ESD 保护二极管
- 额定值 >4 kV 人体放电模型 (HBM)
- 额定值 >2 kV 充电器件模型 (CDM)
- 无铅且无卤素
- 符合 RoHS
应用领域
- 负载开关应用
- 通用开关应用
- 电池类应用
- 手持式和移动类应用
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