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CSD17308Q3T
1个N沟道 耐压:30V 电流:14A
- 描述
- CSD17308Q3 采用 3mm x 3mm SON 封装的单路、11.8mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17308Q3T
- 商品编号
- C133970
- 商品封装
- DFN-8(3x3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16.5mΩ@3V,10A | |
| 耗散功率(Pd) | 28W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.8V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 5.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 35pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
商品概述
30V、8.2mΩ、3.3mm × 3.3mm VSON NexFET功率MOSFET旨在用于最大程度降低功率转换应用中的损耗并针对5V栅极驱动器应用进行了优化。 特性：
商品特性
- 针对5V栅极驱动器进行了优化
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩级
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS
- 无卤素
- VSON 3.3mm × 3.3mm塑料封装
应用领域
- 笔记本电脑负载点
- 网络、电信和计算系统的负载点同步降压
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