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CSD87335Q3D
2个N沟道 耐压:30V
- 描述
- CSD87335Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 25A、30V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD87335Q3D
- 商品编号
- C129944
- 商品封装
- LSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 25A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.7mΩ@5V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.9V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 14nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.1nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 36pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | - | |
| 输出电容(Coss) | 1.02nF |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 20 个)个
起订量：20 个2500个/圆盘
总价金额：
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