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CSD86330Q3D
2个N沟道 耐压:25V 电流:20A
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- 描述
- CSD86330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86330Q3D
- 商品编号
- C129943
- 商品封装
- LSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@5V；3.3mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V；1.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V；9.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF；1.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF；49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF；880pF |
商品概述
CSD86330Q3D NexFET™功率模块是为同步降压应用优化设计的产品，在3.3 mm × 3.3 mm的小尺寸封装内，具备大电流、高效率和高频工作能力。该产品针对5 V栅极驱动应用进行了优化，与外部控制器/驱动器的任何5 V栅极驱动配合使用时，可提供灵活的解决方案，实现高功率密度电源。
商品特性
- 半桥功率模块
- 15 A电流下系统效率达90%
- 最高可支持20 A工作电流
- 高频工作能力(最高1.5 MHz)
- 高功率密度 – SON 3.3 mm × 3.3 mm封装尺寸
- 针对5 V栅极驱动优化
- 低开关损耗
- 超低电感封装
- 符合RoHS标准
- 无卤
- 无铅引脚镀层
应用领域
- 同步降压转换器
- 高频应用
- 大电流、低占空比应用
- 多相同步降压转换器
- 负载点(POL)DC-DC转换器
- IMVP、VRM和VRD应用