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CSD86330Q3D
2个N沟道 耐压:25V 电流:20A
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- 描述
- CSD86330Q3D 采用 3mm x 3mm SON 封装的 20A、25V、N 沟道同步降压 NexFET™ 功率 MOSFET™电源块
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD86330Q3D
- 商品编号
- C129943
- 商品封装
- LSON-8(3.3x3.3)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.34克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 2个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8.8mΩ@5V；3.3mΩ@5V | |
| 耗散功率(Pd) | 6W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V@250uA；1.1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 4.8nC@4.5V；9.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 920pF；1.66nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF；49pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | 半桥 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 455pF；880pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个2500个/圆盘
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