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CSD17301Q5A
1个N沟道 耐压:30V 电流:28A
- 描述
- CSD17301Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、3mΩ、30V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD17301Q5A
- 商品编号
- C129940
- 商品封装
- DFN-8(4.9x5.8)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.101克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.7mΩ@3V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.2W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.55V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 19nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.48nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 105pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.85nF |
商品概述
NexFET功率MOSFET旨在最大程度减少功率转换应用中的损耗，并针对5V栅极驱动应用进行了优化。
商品特性
- 针对5V栅极驱动进行优化
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- 无铅端子镀层
- 符合RoHS标准
- 无卤素
- SON 5mm×6mm塑料封装
应用领域
- 笔记本电脑负载点
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对同步FET应用进行优化