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FDG315N
1个N沟道 耐压:30V 电流:2A
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- 描述
- 这款N沟道逻辑电平MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可最大程度降低导通电阻，同时保持出色的开关性能。这些器件非常适合需要低在线功率损耗和快速开关的低压及电池供电应用。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FDG315N
- 商品编号
- C905055
- 商品封装
- SC-70-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0302克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 120mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 750mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 2.1nC@15V | |
| 输入电容(Ciss) | 220pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench工艺制造，该工艺经过特别优化，可在最小化导通电阻的同时，保持较低的栅极电荷，以实现卓越的开关性能。这些器件非常适合便携式电子应用。
商品特性
- 2 A、30 V。VGS = 10 V时,RDS(ON) = 0.12 Ω
- VGS = 4.5 V时,RDS(ON) = 0.16 Ω
- 低栅极电荷(典型值2.1 nC)
- 高性能沟槽技术,实现极低的RDS(ON)
- 紧凑的行业标准SC70 - 6表面贴装封装
应用领域
- DC/DC转换器
- 负载开关
- 电源管理