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FOD8333实物图
  • FOD8333商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FOD8333

FOD8333

描述
FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器,可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制变频器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8333 为您提供必要的保护功能,避免发生故障,从而确保 IGBT 不会由于热逃逸而损坏。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FOD8333
商品编号
C899344
商品封装
SO-16-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录LED驱动
开关频率-
属性参数值
通道数1
拓扑结构-

商品概述

FOD8333 是一种先进的2.5A输出电流IGBT驱动光耦合器,能够驱动额定电压高达1200V、额定电流高达150A的中功率IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中的快速开关驱动功率IGBT和MOSFET。FOD8333提供了必要的保护功能,以防止导致IGBT发生破坏性热失控的故障条件。

该器件利用了Fairchild专有的Optoplanar共面封装技术和优化的IC设计,实现了可靠的高隔离和高噪声抗扰度,其特点是具有高的共模抑制比和电源抑制规格。该器件采用宽体、16引脚的小型塑料封装。

栅极驱动通道由铝镓砷(AlGaAs)发光二极管(LED)光学耦合到一个集成高速驱动电路,并带有低RDS(ON) MOSFET输出级。故障检测通道则由AlGaAs LED光学耦合到一个集成高速反馈电路,用于故障检测。

商品特性

  • 输入LED驱动便于接收来自PWM输出的数字编码信号
  • 光电隔离故障感应反馈
  • 主动米勒钳位在高dv/dt情况下无需负电源电压即可关闭IGBT
  • 高抗噪性能,共模抑制比最小为35 kV/µs,V_CM=1500 V_PEA F
  • 峰值输出电流驱动能力2.5 A,适用于中等功率IGBT – 输出级采用P沟道MOSFET,使输出电压摆幅接近电源轨(轨到轨输出) – 宽电源电压范围:5 V至30 V
  • 集成IGBT保护 – 退饱和检测 – “软”IGBT关断 – 固定静音时间后自动故障复位,通常为33 µs – 带有迟滞的欠压锁定(UVLO)
  • 在整个工作温度范围内快速开关速度 – 最大传播延迟250 ns – 最大脉冲宽度失真100 ns
  • 扩展工业温度范围:–40℃至100℃
  • 安全和法规认证 – UL1577,4243 V_RMS持续1分钟 – DIN-EN/IEC60747-5-5: 1,414 VPEAK 工作绝缘电压等级8,000 V_PEAK 瞬态隔离电压等级
  • 8 mm爬电距离和间隙距离

应用领域

  • 交流和无刷直流电机驱动
  • 工业逆变器
  • 不间断电源
  • 感应加热
  • 隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动

数据手册PDF