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FOD8333V实物图
  • FOD8333V商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FOD8333V

FOD8333V

描述
FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光电耦合器,可驱动高达 1,200 V 和 150 A 的中型功率 IGBT。适用于电机控制变频器应用和高性能电力系统中 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。 FOD8333 为您提供必要的保护功能,避免发生故障,从而确保 IGBT 不会由于热逃逸而损坏。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FOD8333V
商品编号
C899345
商品封装
SO-16-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录LED驱动
属性参数值
拓扑结构-

商品概述

FOD8333 是一款先进的 2.5 A 输出电流 IGBT 驱动光耦,能够驱动额定值高达 1200 V 和 150 A 的中功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8333 具备防止导致 IGBT 热失控故障所需的保护功能。 该器件采用专有的 Optoplanar 共面封装技术和优化的 IC 设计,以实现可靠的高隔离和高抗噪性,具有高共模抑制和电源抑制特性。该器件采用宽体、16 引脚、小外形塑料封装。 栅极驱动通道由一个砷化铝镓 (AlGaAs) 发光二极管 (LED) 组成,该 LED 与一个带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级的集成高速驱动电路光耦合。故障检测通道由一个 AlGaAs LED 组成,该 LED 与一个用于故障检测的集成高速反馈电路光耦合。

商品特性

  • 输入 LED 驱动便于接收来自 PWM 输出的数字编码信号
  • 光隔离故障检测反馈
  • 有源米勒钳位,可在高 dv/dt 时关闭 IGBT,无需负电源电压
  • 高抗噪性,共模抑制比最低 35 kV/µs,VCM = 1500 VPEAK
  • 2.5 A 峰值输出电流驱动能力,适用于中功率 IGBT;输出级的 P 沟道 MOSFET 使输出电压摆幅接近电源轨(轨到轨输出);宽电源电压范围:5 V 至 30 V
  • 集成 IGBT 保护:去饱和检测;“软”IGBT 关断;固定静音时间(通常为 33 µs)后自动故障复位;带迟滞的欠压锁定 (UVLO)
  • 在整个工作温度范围内具有快速开关速度:最大传播延迟 250 ns;最大脉冲宽度失真 100 ns
  • 扩展工业温度范围:– 40℃ 至 100℃
  • 安全和法规认证:UL1577,4243 VRMS 持续 1 分钟;DIN-EN/IEC60747-5-5:1414 VPEAK 工作绝缘电压额定值,8000 VPEAK 瞬态隔离电压额定值
  • 爬电距离和电气间隙为 8 mm

应用领域

  • 交流和无刷直流电机驱动
  • 工业逆变器
  • 不间断电源
  • 感应加热
  • 隔离式 IGBT/功率 MOSFET 栅极驱动

数据手册PDF

交货周期

订货89-91个工作日

购买数量

(1000个/管,最小起订量 1000 个)
起订量:1000 个1000个/管

总价金额:

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