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FOD8334引脚图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

FOD8334

FOD8334

描述
FOD8334 是一款 4.0 A 输出电流 IGBT 驱动光耦合器,能够驱动额定值最高为 1,200 V 和 150 A 的中等功率 IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中使用的功率 IGBT 和 MOSFET 的快速开关驱动。FOD8334 提供了一些必需的保护特性,防止发生导致 IGBT 破坏性热崩溃的故障情况。 该器件利用安森美半导体的专属共面封装技术 Optoplanar 和优化的集成电路设计来实现可靠的高隔离和高抗扰度,具有高共模抑制和电源抑制规定特性。该器件采用宽体,16 引脚,小外形塑料封装。 该门极驱动沟道包含一个与高速驱动集成电路进行光耦合的镓铝砷 (AlGaAs) 发光二极管 (LED),该集成电路带有低 RDS(ON) MOSFET 输出级。故障感应沟道包括一个与集成的高速反馈电路进行光耦合的 AlGaAs 发光二极管 (LED),用于进行故障感应。
品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
FOD8334
商品编号
C899346
商品封装
SO-16-300mil​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录逻辑输出光耦
属性参数值
功能特性欠压锁定;开集电极输出

商品概述

FOD8334是一款先进的4.0 A峰值输出电流IGBT驱动光耦合器,能够驱动额定值高达1200 V和150 A的中功率IGBT。它适用于电机控制逆变器应用和高性能电源系统中功率IGBT和MOSFET的快速开关驱动。FOD8334提供了防止导致IGBT破坏性热失控故障状况所需的保护功能。该器件采用仙童公司专有的Optoplanar®共面封装技术和优化的IC设计,以实现可靠的高隔离和高抗噪性,其特点是具有高共模抑制和电源抑制规格。该器件采用宽体、16引脚、小外形塑料封装。栅极驱动通道由一个砷化镓铝(AlGaAs)发光二极管(LED)与一个带有低RDS(ON) MOSFET输出级的集成高速驱动电路光耦合而成。故障感应通道由一个AlGaAs LED与一个用于故障感应的集成高速反馈电路光耦合而成。

商品特性

  • 输入LED驱动便于从PWM输出接收数字编码信号
  • 光隔离故障感应反馈
  • 有源米勒钳位,可在高dv/dt时关闭IGBT,无需负电源电压
  • 高抗噪性,共模抑制特性为最小35 kV/μs,VCM = 1500 V峰值
  • 4.0 A最大峰值输出电流驱动能力,适用于中功率IGBT
  • 输出级的P沟道MOSFET使输出电压摆幅接近电源轨(轨到轨输出)
  • 宽电源电压范围:15 V至30 V
  • 集成IGBT保护
  • 欠饱和检测
  • “软”IGBT关断
  • 带迟滞的欠压锁定(UVLO)
  • 在整个工作温度范围内具有快速开关速度
  • 最大传播延迟250 ns
  • 最大脉冲宽度失真100 ns
  • 扩展的工业温度范围:-40°C至100°C
  • 安全和法规认证
  • UL1577,4243 V RMS持续1分钟
  • DIN-EN/IEC60747-5-5(待批准):1414 V峰值工作绝缘电压额定值,8000 V峰值瞬态隔离电压额定值,8 mm爬电距离和电气间隙

应用领域

  • 交流和无刷直流电机驱动
  • 工业逆变器
  • 不间断电源
  • 感应加热
  • 隔离IGBT/功率MOSFET栅极驱动

数据手册PDF