FQA13N50CF
1个N沟道 耐压:500V 电流:15A
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQA13N50CF
- 商品编号
- C898214
- 商品封装
- TO-3P
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 6.771克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 218W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 43nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.58nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 20pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
UniFET™ MOSFET是基于平面条纹和DMOS技术的高压MOSFET系列。这款MOSFET专为降低导通电阻、提供更好的开关性能和更高的雪崩能量强度而设计。该器件系列适用于开关电源转换器应用，如功率因数校正（PFC）、平板显示器（FPD）电视电源、ATX电源和电子灯镇流器。
商品特性
- 15 A、500 V,RDS(on) = 480 mΩ(最大值)@ VGS = 10 V,ID = 7.5 A
- 低栅极电荷(典型值43 nC)
- 低Crss(典型值20 pF)
- 100%雪崩测试
- 快速恢复体二极管(典型值100 ns)
应用领域
-开关模式电源-有源功率因数校正(PFC)-电子灯镇流器