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FQT2P25TF
1个P沟道 耐压:250V 电流:550mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQT2P25TF
- 商品编号
- C894841
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.15Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
这些P沟道增强型功率场效应晶体管采用专有的平面条纹DMOS技术制造。这项先进技术经过特别设计,可将导通电阻降至最低,提供卓越的开关性能,并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关式DC/DC转换器。
商品特性
- 0.55 A,-250 V,VGS = -10 V、ID = -0.275 A时,RDS(ON) = 4.0 Ω(最大值)
- 低栅极电荷(典型值6.5 nC)
- 低Crss(典型值6.5 pF)
- 100%经过雪崩测试
应用领域
- 负载开关-主开关-降压/升压开关