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FQT2P25TF
1个P沟道 耐压:250V 电流:550mA
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- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- FQT2P25TF
- 商品编号
- C894841
- 商品封装
- SOT-223-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.208克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 250V | |
| 连续漏极电流(Id) | 550mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 3.15Ω@10V,275mA | |
| 耗散功率(Pd) | 2.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 6.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 190pF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 6.5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品概述
这款N沟道MOSFET采用先进的PowerTrench®工艺制造，该工艺在导通电阻rDS(on)、开关性能和耐用性方面均经过优化。
商品特性
- 在VGS = 10 V、ID = 2 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 228 mΩ
- 在VGS = 4.5 V、ID = 1.8 A条件下，最大导通电阻rDS(on) = 280 mΩ
- 高性能沟槽技术，实现极低的导通电阻rDS(on)
- 采用广泛使用的表面贴装封装，具备高功率和大电流处理能力
- 开关速度快
- 经过100% UI1L测试
- 符合RoHS标准
应用领域
- 负载开关-主开关-降压/升压开关