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VBL2157N
1个P沟道 耐压:150V 电流:40A
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- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-150V；-40A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL2157N
- 商品编号
- C7541184
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.25克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 103W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 144nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 260pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 301pF |
优惠活动
购买数量
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