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VBF2152M
1个P沟道 耐压:150V 电流:15A
- 描述
- TO251；P—Channel沟道,-150V；-15A；RDS(ON)=160mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-2.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBF2152M
- 商品编号
- C7541185
- 商品封装
- TO-251
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.81克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 15A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 160mΩ@10V；180mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 46W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 23.2nC@10V；11.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.055nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 34.8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品特性
- 根据IEC 61249-2-21定义,无卤
- 沟槽型功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
-电源开关-DC/DC转换器