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VBMB2157N
1个P沟道 耐压:150V 电流:30A
- 描述
- TO220F；P—Channel沟道,-150V；-30A；RDS(ON)=65mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1~-3.5V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBMB2157N
- 商品编号
- C7541183
- 商品封装
- TO-220F
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.47克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 30A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 65mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 96nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 208pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 301pF |
商品特性
- 符合IEC 61249-2-21定义的无卤要求
- 采用低热阻的沟槽功率MOSFET封装
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 电源开关-DC/DC转换器