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VBQF2202K
1个P沟道 耐压:200V 电流:2.5A
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- 描述
- DFN8(3X3)；P—Channel沟道,-200V；-3.6A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQF2202K
- 商品编号
- C7541181
- 商品封装
- DFN3x3-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.32克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.5A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 74W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 29nC@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 40pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- 表面贴装
- 提供卷带包装
- 动态dV/dt额定值
- 重复雪崩额定
- P沟道
- 快速开关
- 易于并联
- 符合RoHS标准
- 无卤可选
- DFN 3x3 EP