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VBL2202K
1个P沟道 耐压:200V 电流:2A
- 描述
- TO263；P—Channel沟道,-200V；-4A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBL2202K
- 商品编号
- C7541179
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.22克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 105W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 44nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品概述
4409是P沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，采用高单元密度先进沟槽技术制造。 这种高密度工艺专门用于最小化导通电阻。这些器件特别适用于低压应用、笔记本电脑电源管理以及其他需要高端开关的电池供电电路。
商品特性
- -30V/-15A，RDS(ON) = 8mΩ（典型值）@ VGS = -10V
- -30V/-10A，RDS(ON) = 10mΩ（典型值）@ VGS = -4.5V
- 专为极低的RDS(ON)进行超高设计
- 出色的导通电阻和最大直流电流能力
- 完全符合RoHS标准
- SOP8封装设计
应用领域
- 高频负载点同步-网络直流-直流电源系统-负载开关