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VBQA2202K
1个P沟道 耐压:200V
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- 描述
- DFN8(5X6)；P—Channel沟道,-200V；-4A；RDS(ON)=2000mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=-1.5~-4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- VBQA2202K
- 商品编号
- C7541180
- 商品封装
- DFN5x6-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.39克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 85W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 50nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 81pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 370pF |
商品特性
~~- 动态dv/dt额定值-重复雪崩额定值-P沟道-快速开关-易于并联-驱动要求简单-符合RoHS*标准