SIHB4N80E-GE3
1个N沟道 耐压:800V 电流:4.3A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHB4N80E-GE3
- 商品编号
- C7011035
- 商品封装
- D2PAK(TO-263)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.995克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 800V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.1Ω@10V,2A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 69W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 32nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 622pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- 低品质因数 (FOM) Ron × Qg
- 低输入电容 (Ciss)
- 降低开关和传导损耗
- 超低栅极电荷 (Qg)
- 雪崩能量额定值 (UIS)
应用领域
- 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)
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