SIHD1K4N60E-GE3
1个N沟道 耐压:600V 电流:4.2A
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIHD1K4N60E-GE3
- 商品编号
- C7011038
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.45Ω@10V,500mA | |
| 耗散功率(Pd) | 63W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 172pF@100V | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF@100V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
商品特性
- TrenchFET第五代功率MOSFET
- 完全无铅（Pb）器件
- 极低的RDS × Qg品质因数（FOM）
- 最大连续漏极电流高达302 A
- 占位面积比D²PAK（TO - 263）小50%
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步整流-或门功能-电机驱动控制-电池管理
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