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CMD40N10L
1个N沟道 耐压:100V 电流:40A
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- 描述
- 40N10L采用先进的沟槽技术和设计，可实现出色的导通电阻RDS(ON)。该器件非常适合用于消费类、电信、工业电源和LED背光的升压转换器和同步整流器。
- 品牌名称
- Cmos(广东场效应半导体)
- 商品型号
- CMD40N10L
- 商品编号
- C6939690
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.3775克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 38mΩ@4.5V,10A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 135W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 输入电容(Ciss) | 6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 125pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
3N40A采用先进的高压MOSFET工艺制造，旨在为常见的交直流应用提供高性能和高可靠性。
商品特性
- 快速开关
- 100%雪崩测试
- 改善的dv/dt能力
- 符合RoHS标准
应用领域
- 电源-功率因数校正(PFC)