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SIR112DP-T1-RE3
N沟道40 V（D-S）MOSFET
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- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV power MOSFET。 100% Rg 和 UIS 测试。 Qgd/Qgs 比率 < 1，优化开关特性。应用：同步整流。 OR-ing
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR112DP-T1-RE3
- 商品编号
- C6816920
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 133A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 2.65mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 62.5W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 89nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.27nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 90pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 680pF |
商品特性
- 沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 栅漏电荷(Qgd)与栅源电荷(Qgs)之比 < 1,优化开关特性
- 符合RoHS标准
- 无卤素
应用领域
- 同步整流
- 或门连接
- 高功率密度直流/直流转换器
- 电压调节模块(VRMs)和嵌入式直流/直流转换器
- 直流/交流逆变器
- 负载开关
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