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SQD50P04-13L_T4GE3
1个P沟道 耐压:40V 电流:50A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD50P04-13L_T4GE3
- 商品编号
- C6818641
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 50A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 13mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W；3W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 80nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.95nF | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 低热阻封装
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位电感开关(UIS)测试
- 通过AEC-Q101认证
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 直流-直流转换器
- 开关模式和谐振模式电源
- 交流和直流电机驱动器
- 激光驱动器
- 机器人和伺服控制