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SQS141ELNW-T1_GE3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SQS141ELNW-T1_GE3

1个P沟道 耐压:40V 电流:79A

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描述
特性:TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 AEC-Q101合格。 100% Rg和UIS测试。 可焊侧翼端子。 0.75mm外形低热阻
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQS141ELNW-T1_GE3
商品编号
C6818689
商品封装
PowerPAK1212-8SLW​
包装方式
编带
商品毛重
0.12克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)79A
导通电阻(RDS(on))10mΩ@10V
耗散功率(Pd)119W
阈值电压(Vgs(th))2V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)141nC@10V
输入电容(Ciss)7.458nF
反向传输电容(Crss)460pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)347pF

商品特性

  • TrenchFET第四代功率MOSFET
  • 通过AEC-Q101认证
  • 100%进行Rg和UIS测试
  • 可焊侧翼端子
  • 0.75mm薄型设计,热阻低
  • 符合RoHS标准
  • 无卤

应用领域

  • 服务器和电信电源-开关模式电源 (SMPS)-功率因数校正电源 (PFC)-照明-高强度气体放电灯 (HID)-荧光灯镇流器照明-工业领域-焊接-感应加热-电机驱动-电池充电器-可再生能源-太阳能 (光伏逆变器)

数据手册PDF