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SQM120N06-06_GE3
1个N沟道 耐压:60V 电流:120A
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- 描述
- 特性：沟槽式场效应管功率MOSFET。 低热阻封装。 通过AEC-Q101认证。 100%进行Rg和UIS测试
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM120N06-06_GE3
- 商品编号
- C6818673
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.144375克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 230W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 145nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.495nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 420pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 708pF |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
- 低热阻封装
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rq和UIS测试