商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 82A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 104W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.159nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 56pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- TrenchFET第四代功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 可焊侧翼端子
- 0.75mm薄型设计,热阻低
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 消费电子
- 显示器（LCD 或等离子电视）
- 服务器和电信电源 - 开关电源
- 工业领域
- 焊接
- 感应加热
- 电机驱动
- 电池充电器
相似推荐
其他推荐