SQJA04EP-T1_BE3
SQJA04EP-T1_BE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQJA04EP-T1_BE3
- 商品编号
- C6818665
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 75A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 68W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 55nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 3.5nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 50pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品概述
- 沟槽场效应晶体管第四代功率MOSFET
- 在紧凑且散热增强型封装中实现极低的导通电阻RDS(on)
- 优化的栅极电荷Qg、栅漏电荷Qgd以及Qgd/Qgs比值，降低开关相关的功率损耗
- 进行了100%栅极电阻Rg和非箝位感性开关UIS测试
商品特性
- 沟槽式场效应功率MOSFET
- 通过AEC-Q101认证
- 100%进行Rg和UIS测试
- 符合RoHS标准且无卤
应用领域
- 同步整流-同步降压转换器-高功率密度DC/DC-或门操作-负载开关