温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

SIR170DP-T1-RE3

1个N沟道耐压:100V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

私有库下单最高享92折

描述: 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。极低的RDS × Qg品质因数（FOM）。针对最低的RDS × Qoss FOM进行了调优。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。初级侧开关
品牌名称: VISHAY(威世)
商品型号: SIR170DP-T1-RE3
商品编号: C6816928
商品封装: PowerPAKSO-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.177148克(g)

商品参数

商品概述

P沟道30V（D - S）MOSFET，PowerPAK 1212 - 8在小尺寸封装下提供超低热阻抗，适用于空间受限的应用。该封装是PowerPAK SO - 8的衍生产品，采用相同的封装技术，可最大化芯片面积。芯片附着垫底部外露，为安装器件的基板提供直接、低电阻的热路径。PowerPAK 1212 - 8将PowerPAK SO - 8的优势融入更小的封装中，具备相同水平的热性能。其占地面积与TSOP - 6相当，比标准TSSOP - 8小40%以上，芯片容量是标准TSOP - 6的两倍多，热性能比SO - 8好一个数量级，比TSSOP - 8好20倍。对于通常仅出于散热考虑而需要更大封装的应用，PowerPAK 1212 - 8是不错的选择。

商品特性

TrenchFET第四代功率MOSFET
极低的RDS x Qg品质因数(FOM)
针对最低的RDS x Qoss FOM进行优化
100%进行Rg和UIS测试

应用领域

-同步整流-初级侧开关-DC/DC转换器-或门功能-电源-电机驱动控制-电池和负载开关

数据手册PDF

放大查看下载PDF

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个N沟道
	漏源电压(Vdss)	100V
	连续漏极电流(Id)	95A
	导通电阻(RDS(on))	4.8mΩ@10V
	耗散功率(Pd)	104W
	阈值电压(Vgs(th))	2.5V

	属性	参数值
	栅极电荷量(Qg)	42nC@10V
	输入电容(Ciss)	6.195nF
	反向传输电容(Crss)	93pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	类型	N沟道
	输出电容(Coss)	383pF