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SQ2361AEES-T1_BE3实物图
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SQ2361AEES-T1_BE3

停产 1个P沟道 耐压:60V 电流:2.8A

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描述
特性:沟槽式场效应晶体管功率MOSFET。典型ESD保护:800V。通过AEC-Q101认证。100%进行Rg和UIS测试
品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SQ2361AEES-T1_BE3
商品编号
C6818614
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.0427克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)60V
连续漏极电流(Id)2.8A
导通电阻(RDS(on))170mΩ@10V
耗散功率(Pd)2W
阈值电压(Vgs(th))2.5V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)15nC@10V
输入电容(Ciss)620pF
反向传输电容(Crss)32pF
工作温度-55℃~+175℃
类型P沟道
输出电容(Coss)55pF

商品特性

  • 沟槽式场效应晶体管(TrenchFET)功率MOSFET
  • 典型静电放电(ESD)保护:800 V
  • 通过AEC-Q101认证
  • 进行100% Rq和UIS测试

应用领域

  • 服务器和电信电源
  • 开关模式电源(SMPS)
  • 功率因数校正电源(PFC)
  • 照明
  • 高强度气体放电灯(HID)
  • 荧光灯镇流器照明
  • 工业领域
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电机驱动
  • 电池充电器
  • 太阳能(光伏逆变器)

数据手册PDF