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SQD40030E_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:100A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQD40030E_GE3
- 商品编号
- C6818633
- 商品封装
- TO-252AA
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.437克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 栅极电荷量(Qg) | 65nC@10V |
商品特性
- 通过AEC-Q101认证
- 结温高达175°C
- 低导通电阻的n沟道和p沟道TrenchFET技术
- 创新的节省空间的封装选项
应用领域
- 发动机管理
- 适用于以下应用的电机驱动器和执行器:
- 动力转向
- 制动系统
- 变速器
- 启停系统
- 高级驾驶辅助系统(ADAS)
- 电池管理
- 车身系统