- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIRC16DP-T1-RE3
SIRC16DP-T1-RE3
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIRC16DP-T1-RE3
- 商品编号
- C6816944
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 60A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 54.3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 31.5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 5.15nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 350pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.95nF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品特性
- 第四代沟槽式场效应晶体管(TrenchFET Gen IV)功率MOSFET
- 集成单片肖特基二极管的SKYFET
- 优化的RDS - Qg和RDS - Qgd品质因数(FOM),提高高频开关效率
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- 同步降压
- 同步整流
- DC/DC转换