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SISS02DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:25V 电流:51A 80A
- 描述
- 特性：TrenchFET Gen IV功率MOSFET。 在紧凑且散热增强的封装中具有极低的RDS(on)。 优化的Qg、Qgd和Qgd/Qgs比率可降低与开关相关的功率损耗。 100%进行Rg和UIS测试。应用：同步整流。 同步降压转换器
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISS02DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6816952
- 商品封装
- PowerPAK1212-8S
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.23855克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 51A；80A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.2mΩ@10V,15A | |
| 耗散功率(Pd) | 65.7W；5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 83nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.45nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 206pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
~~- 低源极-源极导通电阻-符合 RoHS 标准-无卤
应用领域
- 电池保护电路