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SQM40022E_GE3
1个N沟道 耐压:40V 电流:150A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SQM40022E_GE3
- 商品编号
- C6818677
- 商品封装
- TO-263(D2PAk)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 2.13925克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 150A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.63mΩ@10V,35A | |
| 耗散功率(Pd) | 150W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 160nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.2nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 150pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 典型静电放电（ESD）保护：800 V
- 通过AEC-Q101认证
- 进行100% Rq和UIS测试