SISH410DN-T1-GE3
1个N沟道 耐压:20V 电流:22A 电流:35A
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SISH410DN-T1-GE3
- 商品编号
- C6816948
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 22A；35A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.8mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 52W；3.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 41nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.6nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
N沟道12 V（漏 - 源）MOSFET，PowerPAK是围绕SO - 8封装开发的新型封装技术。PowerPAK SO - 8与标准SO - 8占位面积和引脚输出相同，可直接替代标准SO - 8封装。作为无引脚封装，PowerPAK SO - 8利用整个SO - 8占位面积，能容纳比标准SO - 8更大的芯片。芯片底部的连接垫外露，可提供直接、低电阻的热通路至安装器件的基板。此外，该封装高度低于标准SO - 8，适用于空间受限的应用。
商品特性
- TrenchFET功率MOSFET
- 100%进行Rg和UIS测试
应用领域
- DC/DC转换器
- 笔记本电脑
- 负载点(POL)