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SIR618DP-T1-GE3
SIR618DP-T1-GE3
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- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR618DP-T1-GE3
- 商品编号
- C6816932
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- ThunderFET 技术优化了 RDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
- 进行 100% Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 固定电信
- DC/DC 转换器
- 初级和次级侧开关
- 电池管理
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