温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SIR618DP-T1-GE3
N沟道200V(D-S) MOSFET，采用ThunderFET技术优化参数平衡，100% Rg和UIS测试，符合RoHS标准且无卤
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- VISHAY(威世)
- 商品型号
- SIR618DP-T1-GE3
- 商品编号
- C6816932
- 商品封装
- PowerPAKSO-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.171克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 95mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 10.6nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 740pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 7pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品特性
- ThunderFET 技术优化了 RDS(on)、Qg、Qsw 和 Qoss 的平衡
- 进行 100% Rg 和 UIS 测试
应用领域
- 固定电信
- DC/DC 转换器
- 初级和次级侧开关
- 电池管理
- SIR638DP-T1-RE3
- SIRA84BDP-T1-GE3
- SIRC16DP-T1-RE3
- SISH410DN-T1-GE3
- SISS02DN-T1-GE3
- 445C3XD25M00000
- 433603-03-0
- SM6S17A-AU_R2_000A1
- 445C3XF16M00000
- 433603-10-0
- SM6S26A-AU_R2_000A1
- 445C3XF27M00000
- 433605-26-0
- SM6S28A-AU_R2_000A1
- 445C3XG14M31818
- 433610-12-0
- SM7621
- 445C3XJ30M00000
- 433611-18-0
- SM768GE0B0000-AB
- 445C3XK30M00000