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SIHS90N65E-GE3实物图
  • SIHS90N65E-GE3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

SIHS90N65E-GE3

1个N沟道 耐压:650V 电流:87A

品牌名称
VISHAY(威世)
商品型号
SIHS90N65E-GE3
商品编号
C6816703
商品封装
TO-274AA​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)650V
连续漏极电流(Id)87A
导通电阻(RDS(on))29mΩ@10V,45A
属性参数值
耗散功率(Pd)625W
阈值电压(Vgs(th))2V
栅极电荷量(Qg)591nC@10V
输入电容(Ciss)11.826nF@100V
工作温度-55℃~+150℃@(Tj)

商品特性

  • 降低优值 (FOM):导通电阻 (Ron) × 栅极电荷 (Qg)
  • 采用 E 系列技术的快速体二极管 MOSFET
  • 降低反向恢复时间 (trr)、反向恢复电荷 (Qrr) 和反向恢复峰值电流 (IRRM)
  • 低反向恢复电荷 (Qrr) 提高了鲁棒性
  • 低输入电容 (Ciss)
  • 降低开关和传导损耗
  • 雪崩能量额定值 (UIS)

应用领域

  • 电信
  • 服务器和电信电源
  • 计算机
  • ATX 电源
  • 工业
  • 焊接
  • 感应加热
  • 电池充电器
  • 不间断电源 (UPS)
  • 可再生能源
  • 串式光伏逆变器

数据手册PDF